ISCH57N04NM7VSCATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 比較

詳細な並列比較: ISCH57N04NM7VSCATMA1 メーカー: Infineon および BSC076N04NDATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ ISCH57N04NM7VSCATMA1 BSC076N04NDATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.78 $0.82
FET Type N-Channel 2x N-Channel MOSFET array
Technology OptiMOS 7 (trench) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 52 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc [DATA_NEEDED: ID at Tc value, datasheet not in verified data] —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 443 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 214 W —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 4 V (max, typical)
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
動作温度範囲 -55 C to +175 C (typical MOSFET junction range) —
パッケージ PG-WSON-8-2 (PQFN 5x6 mm, Dual Side Cooled) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-channel, source-down lead-frame Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Cooling Dual Side Cooled (top + bottom thermal interface) —
RoHS ステータス Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
動作接合温度 — -55 C to +175 C
パッケージ / ケース — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)

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