ISCH57N04NM7VSCATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de ISCH57N04NM7VSCATMA1 por Infineon e BSC076N04NDATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
ISCH57N04NM7VSCATMA1 - 40V 443A OptiMOS 7 Dual-Side Cooled MOSFET | Infineon
ISCH57N04NM7VSCATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | ISCH57N04NM7VSCATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,78 | $0,82 |
| FET Type | N-Channel | 2x N-Channel MOSFET array |
| Technology | OptiMOS 7 (trench) | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 52 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | [DATA_NEEDED: ID at Tc value, datasheet not in verified data] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 443 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 214 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 C to +175 C (typical MOSFET junction range) | — |
| Encapsulamento | PG-WSON-8-2 (PQFN 5x6 mm, Dual Side Cooled) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-channel, source-down lead-frame | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Cooling | Dual Side Cooled (top + bottom thermal interface) | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| Temperatura de junção de operação | — | -55 C to +175 C |
| Encapsulamento / Caixa | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |