ISCH57N04NM7VSCATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: ISCH57N04NM7VSCATMA1 제조: Infineon 및 BSC076N04NDATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 ISCH57N04NM7VSCATMA1 BSC076N04NDATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.78 $0.82
FET Type N-Channel 2x N-Channel MOSFET array
Technology OptiMOS 7 (trench) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 52 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc [DATA_NEEDED: ID at Tc value, datasheet not in verified data] —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 443 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 214 W —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 4 V (max, typical)
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
동작 온도 범위 -55 C to +175 C (typical MOSFET junction range) —
패키지 PG-WSON-8-2 (PQFN 5x6 mm, Dual Side Cooled) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-channel, source-down lead-frame Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Cooling Dual Side Cooled (top + bottom thermal interface) —
RoHS 상태 Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
동작 접합 온도 — -55 C to +175 C
패키지 / 케이스 — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)

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