K3LK4K40CM-BGCP vs K3K8K80BM-JGCT 比較

詳細な並列比較: K3LK4K40CM-BGCP メーカー: Samsung Electronics および K3K8K80BM-JGCT メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K3LK4K40CM-BGCP K3LK4K40CM-BGCP - LPDDR5 96Gb 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK4K40CM-BGCP - LPDDR5 96Gb 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK4K40CM-BGCP ✓ 生産中
Samsung Electronics
K3K8K80BM-JGCT K3K8K80BM-JGCT - Samsung LPDDR DRAM Memory IC | Samsung Electronics

K3K8K80BM-JGCT - Samsung LPDDR DRAM Memory IC | Samsung Electronics

K3K8K80BM-JGCT ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K3LK4K40CM-BGCP K3K8K80BM-JGCT
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ DRAM Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $37.80 $3.10
メモリタイプ LPDDR5 SDRAM Low Power DRAM (LPDDR) component
Density 96 Gb (12 GB) [DATA_NEEDED: die density in Gb]
メモリ構成 1536M x 64 [DATA_NEEDED: x8/x16 organization]
データレート 6400 Mbps per pin —
Supply Voltage (VDD) 1.05 V [DATA_NEEDED: core supply voltage]
パッケージ 496-ball FBGA —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
インターフェース LPDDR5 (JEDEC) [DATA_NEEDED: LPDDR4X or LPDDR5]
動作温度 [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Access Time / CAS Latency [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Refresh Scheme Per-bank / all-bank refresh —
Power-Down Modes Deep sleep / power-down supported —
Application Segment Mobile, embedded, computing modules —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance]
Packaging [DATA_NEEDED: standard packing quantity] —
Manufacturer — Samsung Electronics
Product Family — K3K mobile DRAM (LPDDR) component series
Maximum Data Rate — [DATA_NEEDED: Mbps]
Supply Voltage (VDDQ) — [DATA_NEEDED: I/O supply voltage]
Package Type — FBGA (Ball Grid Array)
Ball Count — [DATA_NEEDED: package ball count]
Speed Grade Suffix — J (per Samsung speed-grade coding)
Packing Suffix — CT (per Samsung packing-code convention)
MSLレベル — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

データシート&リソース

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