K3LK4K40CM-BGCP vs K3K8K80BM-JGCT 비교
다음의 상세 나란히 비교: K3LK4K40CM-BGCP 제조: Samsung Electronics 및 K3K8K80BM-JGCT 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electronics
K3K8K80BM-JGCT - Samsung LPDDR DRAM Memory IC | Samsung Electronics
K3K8K80BM-JGCT ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K3LK4K40CM-BGCP | K3K8K80BM-JGCT |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $37.80 | $3.10 |
| 메모리 유형 | LPDDR5 SDRAM | Low Power DRAM (LPDDR) component |
| Density | 96 Gb (12 GB) | [DATA_NEEDED: die density in Gb] |
| 메모리 구성 | 1536M x 64 | [DATA_NEEDED: x8/x16 organization] |
| 데이터 속도 | 6400 Mbps per pin | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.05 V | [DATA_NEEDED: core supply voltage] |
| 패키지 | 496-ball FBGA | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 인터페이스 | LPDDR5 (JEDEC) | [DATA_NEEDED: LPDDR4X or LPDDR5] |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Access Time / CAS Latency | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh Scheme | Per-bank / all-bank refresh | — |
| Power-Down Modes | Deep sleep / power-down supported | — |
| Application Segment | Mobile, embedded, computing modules | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance] |
| Packaging | [DATA_NEEDED: standard packing quantity] | — |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Product Family | — | K3K mobile DRAM (LPDDR) component series |
| Maximum Data Rate | — | [DATA_NEEDED: Mbps] |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | [DATA_NEEDED: I/O supply voltage] |
| Package Type | — | FBGA (Ball Grid Array) |
| Ball Count | — | [DATA_NEEDED: package ball count] |
| Speed Grade Suffix | — | J (per Samsung speed-grade coding) |
| Packing Suffix | — | CT (per Samsung packing-code convention) |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |