K4A4G085WD vs K4A4G085WG-BCWE 比較
詳細な並列比較: K4A4G085WD メーカー: Samsung Electronics および K4A4G085WG-BCWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A4G085WD | K4A4G085WG-BCWE |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.05 | $2.68 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (Volatile) |
| Die Generation | D-die | — |
| Density | 4 Gb | — |
| メモリ構成 | 512M x 8 | — |
| データレート | Up to 2400 Mbps (speed-grade dependent) | 3200 Mbps/pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| パッケージ | 78-ball FBGA | FBGA-78 (BCW) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade (example) | -BCPB (DDR4-2400), -BCRC | — |
| インターフェースタイプ | DDR4 (double data rate, source-synchronous) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4 bank groups) | — |
| ODT | On-Die Termination (built-in) | — |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS Latency (typical) | [DATA_NEEDED: CL per speed grade] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh interval] | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Lead-Free | [DATA_NEEDED: lead-free status] | — |
| メモリサイズ | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 8 |
| Speed Class | — | DDR4-3200 |
| Technology | — | D-die DDR4 |
| インターフェース | — | Parallel (DDR4) |
| Burst Length | — | BL8 |
| DLL Mode | — | DLL Enabled (per datasheet timing) |
| Packaging | — | Tray |