K4A4G085WD vs K4A4G085WG-BCWE 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A4G085WD 제조: Samsung Electronics 및 K4A4G085WG-BCWE 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A4G085WD | K4A4G085WG-BCWE |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.05 | $2.68 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (Volatile) |
| Die Generation | D-die | — |
| Density | 4 Gb | — |
| 메모리 구성 | 512M x 8 | — |
| 데이터 속도 | Up to 2400 Mbps (speed-grade dependent) | 3200 Mbps/pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| 패키지 | 78-ball FBGA | FBGA-78 (BCW) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade (example) | -BCPB (DDR4-2400), -BCRC | — |
| 인터페이스 유형 | DDR4 (double data rate, source-synchronous) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4 bank groups) | — |
| ODT | On-Die Termination (built-in) | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS Latency (typical) | [DATA_NEEDED: CL per speed grade] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh interval] | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Lead-Free | [DATA_NEEDED: lead-free status] | — |
| 메모리 크기 | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 8 |
| Speed Class | — | DDR4-3200 |
| Technology | — | D-die DDR4 |
| 인터페이스 | — | Parallel (DDR4) |
| Burst Length | — | BL8 |
| DLL Mode | — | DLL Enabled (per datasheet timing) |
| Packaging | — | Tray |