K4A4G165WF-BCWE vs K4A4G165WD-BCPB 比較
詳細な並列比較: K4A4G165WF-BCWE メーカー: Samsung Electronics および K4A4G165WD-BCPB メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A4G165WF-BCWE | K4A4G165WD-BCPB |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $10.65 | $3.10 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| データレート | 3200 Mbps | 2133 MT/s |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| 電源電圧 | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| 動作温度 | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| パッケージ | FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| インターフェース | Parallel | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) |
| Die Generation | Samsung F-die | D-die |
| Data Mask | Supported (DM) | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT supported | — |
| CRC | Supported | — |
| Auto Precharge | Supported | — |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| RoHS ステータス | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant (lead-free suffix) |
| Density | — | 4 Gbit |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] |
| Burst Length | — | 8 (BL8, fixed/chop) |
| Pb-Free | — | Yes (per Samsung part-numbering suffix) |
| Refresh | — | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) |