K4A4G165WF-BCWE vs K4A4G165WD-BCPB 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A4G165WF-BCWE 제조: Samsung Electronics 및 K4A4G165WD-BCPB 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A4G165WF-BCWE | K4A4G165WD-BCPB |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $10.65 | $3.10 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps | 2133 MT/s |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| 공급 전압 | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| 동작 온도 | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 패키지 | FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 인터페이스 | Parallel | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) |
| Die Generation | Samsung F-die | D-die |
| Data Mask | Supported (DM) | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT supported | — |
| CRC | Supported | — |
| Auto Precharge | Supported | — |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| RoHS 상태 | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant (lead-free suffix) |
| Density | — | 4 Gbit |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] |
| Burst Length | — | 8 (BL8, fixed/chop) |
| Pb-Free | — | Yes (per Samsung part-numbering suffix) |
| Refresh | — | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) |