K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G085WB-BCPB 比較
詳細な並列比較: K4A8G045WB-BCRC メーカー: Samsung Electronics および K4A8G085WB-BCPB メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A8G045WB-BCRC | K4A8G085WB-BCPB |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.95 | $13.78 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| メモリ構成 | 2G x 4 | 1G x 8 |
| Speed | 2400 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V | — |
| Process Technology | Samsung B-die | — |
| インターフェース | CMOS, differential clock (CK/CK#) | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Maximum Supply Current | 211.7 mA | — |
| 動作温度 | 0 C to 85 C | — |
| パッケージ | 78-ball FBGA (PBGA78) | 78-ball FBGA |
| Terminals | 78 | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Key DDR4 Features | Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset | — |
| DLL Mode | Timing specified for DLL-enabled operation | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| 電源電圧 | — | 1.2 V (nominal) |
| データレート | — | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Speed Grade | — | BC |
| CAS Latency (CL) | — | 22 |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Architecture | — | 16 banks (4 bank groups) |
| Refresh Interval | — | 7.8 us (up to 85C) |
| インターフェースタイプ | — | SSTL-12 |
| Termination | — | ODT / dynamic ODT |
| Self-Refresh | — | Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) |
| Package Dimensions | — | 11 mm x 11 mm |
| Operating Mode | — | DLL enabled |