K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G085WB-BCPB Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G045WB-BCRC от Samsung Electronics и K4A8G085WB-BCPB от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung
K4A8G045WB-BCRC ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | K4A8G045WB-BCRC | K4A8G085WB-BCPB |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,95 | $13,78 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| Организация памяти | 2G x 4 | 1G x 8 |
| Speed | 2400 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V | — |
| Process Technology | Samsung B-die | — |
| Интерфейс | CMOS, differential clock (CK/CK#) | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Maximum Supply Current | 211.7 mA | — |
| Рабочая температура | 0 C to 85 C | — |
| Корпус | 78-ball FBGA (PBGA78) | 78-ball FBGA |
| Terminals | 78 | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Key DDR4 Features | Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset | — |
| DLL Mode | Timing specified for DLL-enabled operation | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Напряжение питания | — | 1.2 V (nominal) |
| Скорость передачи данных | — | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Speed Grade | — | BC |
| CAS Latency (CL) | — | 22 |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Architecture | — | 16 banks (4 bank groups) |
| Refresh Interval | — | 7.8 us (up to 85C) |
| Тип интерфейса | — | SSTL-12 |
| Termination | — | ODT / dynamic ODT |
| Self-Refresh | — | Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) |
| Package Dimensions | — | 11 mm x 11 mm |
| Operating Mode | — | DLL enabled |