K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G085WB-BCPB 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G045WB-BCRC 제조: Samsung Electronics 및 K4A8G085WB-BCPB 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G045WB-BCRC | K4A8G085WB-BCPB |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.95 | $13.78 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| 메모리 구성 | 2G x 4 | 1G x 8 |
| Speed | 2400 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V | — |
| Process Technology | Samsung B-die | — |
| 인터페이스 | CMOS, differential clock (CK/CK#) | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Maximum Supply Current | 211.7 mA | — |
| 동작 온도 | 0 C to 85 C | — |
| 패키지 | 78-ball FBGA (PBGA78) | 78-ball FBGA |
| Terminals | 78 | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Key DDR4 Features | Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset | — |
| DLL Mode | Timing specified for DLL-enabled operation | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 공급 전압 | — | 1.2 V (nominal) |
| 데이터 속도 | — | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Speed Grade | — | BC |
| CAS Latency (CL) | — | 22 |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Architecture | — | 16 banks (4 bank groups) |
| Refresh Interval | — | 7.8 us (up to 85C) |
| 인터페이스 유형 | — | SSTL-12 |
| Termination | — | ODT / dynamic ODT |
| Self-Refresh | — | Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) |
| Package Dimensions | — | 11 mm x 11 mm |
| Operating Mode | — | DLL enabled |