K4A8G085WB-BCTD vs K4A8G085WB-BIWE 比較
詳細な並列比較: K4A8G085WB-BCTD メーカー: Samsung Electronics および K4A8G085WB-BIWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A8G085WB-BCTD | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $7.50 | $6.50 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 8 Gb (1G x 8) | 8 Gb |
| 電源電圧 | 1.2 V | 1.2 V |
| データレート | 3200 Mbps (PC4-25600) | 3200 Mbps |
| Speed Bin | CL22-22-22 | — |
| パッケージ | FBGA-78 (TFBGA) | 78-FBGA |
| 動作温度 | 0°C to +95°C (TC) | 0°C to +85°C |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B78 | — |
| Number of Terminals | 78 | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |
| ハロゲンフリー | — | Yes |