K4A8G085WB-BIWE vs MT40A512M16TB-062E:R 比較
詳細な並列比較: K4A8G085WB-BIWE メーカー: Samsung Electronics および MT40A512M16TB-062E:R メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | K4A8G085WB-BIWE | MT40A512M16TB-062E:R |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $6.50 | $60.00 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 8 Gb | 8 Gbit (512M x 16) |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| データレート | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| 電源電圧 | 1.2 V | — |
| 動作温度 | 0°C to +85°C | 0°C to +95°C |
| パッケージ | 78-FBGA | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CL value] | 22 |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| Clock Frequency | — | 1600 MHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| インターフェース | — | Parallel |
| データバス幅 | — | 16 bits |
| Refresh Time | — | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| 特長 | — | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration |