K4A8G085WB-BIWE vs MT40A512M16TB-062E:R 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G085WB-BIWE 제조: Samsung Electronics 및 MT40A512M16TB-062E:R 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G085WB-BIWE | MT40A512M16TB-062E:R |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.50 | $60.00 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gb | 8 Gbit (512M x 16) |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| 동작 온도 | 0°C to +85°C | 0°C to +95°C |
| 패키지 | 78-FBGA | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CL value] | 22 |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| Clock Frequency | — | 1600 MHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| 데이터 버스 폭 | — | 16 bits |
| Refresh Time | — | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| 특징 | — | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration |