K4A8G085WC-BCRC vs H5AN4G8NBJR-UHC 比較

詳細な並列比較: K4A8G085WC-BCRC メーカー: Samsung Electronics および H5AN4G8NBJR-UHC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCRC K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC ✓ 生産中
SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A8G085WC-BCRC H5AN4G8NBJR-UHC
ブランド Samsung Electronics SK hynix
カテゴリ DRAM Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $4.30 $3.18
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 4 Gbit
メモリ構成 1G x 8 512M x 8
電源電圧 1.2 V 1.2 V
データレート 2400 Mbps (DDR4-2400) 2400 Mbps (PC2400)
パッケージ 78-ball FBGA (TFBGA) TFBGA-78 (11 x 7.5 mm)
Terminal Pitch 0.8 mm —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 0C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
Dynamic On-Die Termination Yes —
Data Mask Function Yes —
RoHS ステータス Compliant Compliant (Rohs Code: Yes)
Refresh Auto/Self refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support]
インターフェース — DDR4 (JEDEC)
Technology — CMOS DRAM
Lifecycle Code — Active
REACH Compliance — Compliant
Manufacturer — SK Hynix Inc.
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin]

データシート&リソース

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