K4A8G085WC-BCRC vs H5AN4G8NBJR-UHC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WC-BCRC por Samsung Electronics e H5AN4G8NBJR-UHC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G085WC-BCRC | H5AN4G8NBJR-UHC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoria | DRAM | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $4,30 | $3,18 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 4 Gbit |
| Organização da memória | 1G x 8 | 512M x 8 |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | 1.2 V |
| Taxa de dados | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2400 Mbps (PC2400) |
| Encapsulamento | 78-ball FBGA (TFBGA) | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant (Rohs Code: Yes) |
| Refresh | Auto/Self refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] |
| Interface | — | DDR4 (JEDEC) |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Lifecycle Code | — | Active |
| REACH Compliance | — | Compliant |
| Manufacturer | — | SK Hynix Inc. |
| Latência CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] |