K4A8G085WC-BCTD vs K4A8G085WC-BCRC 比較

詳細な並列比較: K4A8G085WC-BCTD メーカー: Samsung Electronics および K4A8G085WC-BCRC メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD ⚠ ラストタイムバイ
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K4A8G085WC-BCRC K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCRC
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs DRAM
ライフサイクル状態 ラストバイ 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $50.85 $4.30
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gbit
メモリ構成 1G x 8 1G x 8
データレート 2666 Mbps (PC4-2133) 2400 Mbps (DDR4-2400)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
パッケージ 78-ball FBGA (78FBGA) 78-ball FBGA (TFBGA)
Ball Pitch 0.8 mm —
動作温度 0C to +95C 0C to +95C
Standard Operating Temp Range 0C to +85C —
Burst Length 8 (chop 4) —
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
CRC Function Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
Dynamic ODT Yes —
Data Mask Yes —
インターフェースタイプ Synchronous, parallel —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
電源電圧 — 1.2 V
Terminal Pitch — 0.8 mm
Dynamic On-Die Termination — Yes
Data Mask Function — Yes
Refresh — Auto/Self refresh

データシート&リソース

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