K4A8G085WC-BCTD vs K4A8G085WC-BCRC 对比

详细并排对比 K4A8G085WC-BCTD 出自 Samsung Electronics 和 K4A8G085WC-BCRC 出自 Samsung Electronics。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD ⚠ 最后一次采购
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCRC K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC ✓ 量产中

规格对比

参数 K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCRC
品牌 Samsung Electronics Samsung Electronics
分类 Memory ICs DRAM
生命周期状态 最后采购期 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $50.85 $4.30
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gbit
存储组织 1G x 8 1G x 8
数据速率 2666 Mbps (PC4-2133) 2400 Mbps (DDR4-2400)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
封装 78-ball FBGA (78FBGA) 78-ball FBGA (TFBGA)
Ball Pitch 0.8 mm —
工作温度 0C to +95C 0C to +95C
Standard Operating Temp Range 0C to +85C —
Burst Length 8 (chop 4) —
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
CRC Function Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
Dynamic ODT Yes —
Data Mask Yes —
接口类型 Synchronous, parallel —
安装类型 Surface Mount Surface Mount
RoHS 状态 [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
电源电压 — 1.2 V
Terminal Pitch — 0.8 mm
Dynamic On-Die Termination — Yes
Data Mask Function — Yes
Refresh — Auto/Self refresh

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