K4A8G165WB-BCPB vs MT40A256M16GE-075E:B 比較
詳細な並列比較: K4A8G165WB-BCPB メーカー: Samsung Electronics および MT40A256M16GE-075E:B メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron
MT40A256M16GE-075E:B ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | K4A8G165WB-BCPB | MT40A256M16GE-075E:B |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.30 | $3.95 |
| Density | 8 Gb | — |
| メモリ構成 | 512M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 2133 Mbps (PC4-17000) | — |
| 電源電圧 | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| 動作温度 | 0°C to 85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] |
| パッケージ | 96-ball FBGA (TFBGA-96) | 96-FBGA (9 x 14 mm) |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Burst Type | Sequential and Interleave | — |
| CASレイテンシ | Programmable (e.g., 15, 16, 18) | — |
| Refresh | Auto and Self Refresh | 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Position | BOTTOM | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| メモリタイプ | — | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | — | 4 Gbit |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| データレート | — | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| Internal Banks | — | 16 |
| I/O Type | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable generation |
| Special Features | — | Temperature controlled refresh (TCR) |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] |