K4A8G165WB-BCPB vs MT40A256M16GE-075E:B Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4A8G165WB-BCPB от Samsung Electronics и MT40A256M16GE-075E:B от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2133Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2133Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCPB ✓ Активен
Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron

MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron

MT40A256M16GE-075E:B ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4A8G165WB-BCPB MT40A256M16GE-075E:B
Бренд Samsung Electronics Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,30 $3,95
Density 8 Gb —
Организация памяти 512M x 16 256M x 16
Speed Grade 2133 Mbps (PC4-17000) —
Напряжение питания 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
Рабочая температура 0°C to 85°C [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade]
Корпус 96-ball FBGA (TFBGA-96) 96-FBGA (9 x 14 mm)
Burst Length 8 (BL8) —
Burst Type Sequential and Interleave —
Задержка CAS Programmable (e.g., 15, 16, 18) —
Refresh Auto and Self Refresh 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C
Number of Terminals 96 —
Package Code TFBGA —
Package Shape RECTANGULAR —
Terminal Position BOTTOM —
Статус RoHS Compliant —
Тип памяти — DDR4 SDRAM
Размер памяти — 4 Gbit
Memory Interface — Parallel
Clock Frequency — 1.33 GHz
Скорость передачи данных — 2666 MT/s (DDR4-2666)
VDD / VDDQ — 1.2 V +/-60 mV
VPP — 2.5 V, -125 mV/+250 mV
Internal Banks — 16
I/O Type — 1.2 V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die, internal, adjustable generation
Special Features — Temperature controlled refresh (TCR)
Тип монтажа — Surface Mount
Access Time — [DATA_NEEDED: CAS latency / access time]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену