K4A8G165WB-BCRC vs H5AN8G6NCJR-VKC 比較
詳細な並列比較: K4A8G165WB-BCRC メーカー: Samsung Electronics および H5AN8G6NCJR-VKC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A8G165WB-BCRC | H5AN8G6NCJR-VKC |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $12.57 | $60.00 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 8 Gb (1 GB) | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| データレート | 2400 Mbps (PC4-19200) | 2666 Mbps |
| 電源電圧 | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Technology | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die | — |
| パッケージ | 96-ball FBGA (PBGA96) | FBGA-96 |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| 動作温度 | -40C to +95C | 0°C to +95°C |
| インターフェース | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT with dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC / CA Parity | Yes (CRC function) | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| メモリ構成 | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| Operating Current (IDD2N) | — | 28 mA |
| Operating Current (IDD4R) | — | 45 mA |
| Burst Length | — | 8 (BC4) |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Row Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] |
| Column Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] |
| Lead-Free | — | Yes |
| ハロゲンフリー | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |