K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G045WB-BCRC 比較

詳細な並列比較: K4A8G165WB-BCRC メーカー: Samsung Electronics および K4A8G045WB-BCRC メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ 生産中
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K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A8G165WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $12.57 $2.95
メモリタイプ DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gb (1 GB) —
Memory Organization 512M x 16 —
データレート 2400 Mbps (PC4-19200) —
電源電圧 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
Technology CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die —
パッケージ 96-ball FBGA (PBGA96) 78-ball FBGA (PBGA78)
Ball Pitch 0.8 mm —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -40C to +95C 0 C to 85 C
インターフェース DDR4 (Double Data Rate, synchronous) CMOS, differential clock (CK/CK#)
On-Die Termination Yes (ODT with dynamic ODT) —
ZQ Calibration Yes —
CRC / CA Parity Yes (CRC function) —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Density — 8 Gb
メモリ構成 — 2G x 4
Speed — 2400 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V
Process Technology — Samsung B-die
Refresh Cycles — 8192
Maximum Supply Current — 211.7 mA
Terminals — 78
Key DDR4 Features — Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset
DLL Mode — Timing specified for DLL-enabled operation

データシート&リソース

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