K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G045WB-BCRC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4A8G165WB-BCRC от Samsung Electronics и K4A8G045WB-BCRC от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ Активен
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4A8G165WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $12,57 $2,95
Тип памяти DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) DDR4 SDRAM
Размер памяти 8 Gb (1 GB) —
Memory Organization 512M x 16 —
Скорость передачи данных 2400 Mbps (PC4-19200) —
Напряжение питания 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
Technology CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die —
Корпус 96-ball FBGA (PBGA96) 78-ball FBGA (PBGA78)
Ball Pitch 0.8 mm —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура -40C to +95C 0 C to 85 C
Интерфейс DDR4 (Double Data Rate, synchronous) CMOS, differential clock (CK/CK#)
On-Die Termination Yes (ODT with dynamic ODT) —
ZQ Calibration Yes —
CRC / CA Parity Yes (CRC function) —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Статус RoHS Compliant Compliant
Density — 8 Gb
Организация памяти — 2G x 4
Speed — 2400 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V
Process Technology — Samsung B-die
Refresh Cycles — 8192
Maximum Supply Current — 211.7 mA
Terminals — 78
Key DDR4 Features — Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset
DLL Mode — Timing specified for DLL-enabled operation

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену