K4B4G1646E-BCMA vs K4B4G1646E-BYK0 比較

詳細な並列比較: K4B4G1646E-BCMA メーカー: Samsung Electronics および K4B4G1646E-BYK0 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4B4G1646E-BCMA K4B4G1646E-BCMA - 4Gb DDR3 SDRAM 1066MHz FBGA-96 | Samsung

K4B4G1646E-BCMA - 4Gb DDR3 SDRAM 1066MHz FBGA-96 | Samsung

K4B4G1646E-BCMA ✓ 生産中
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K4B4G1646E-BYK0 K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4B4G1646E-BCMA K4B4G1646E-BYK0
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.77 $1.80
メモリタイプ DDR3 SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
Clock / Data Rate 1066 MHz / 1066 Mbps per data pin —
電源電圧 1.425 V to 1.575 V (1.5 V nominal) 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
動作温度 0C to +95C 0°C to +95°C (TC)
パッケージ FBGA-96 (7.5 x 13.3 mm) 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch)
Operating Supply Current (IDD) 55 mA —
Standby Current 2 mA —
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
On-Die Termination (ODT) Dynamic ODT supported —
ZQ Calibration Yes Yes
Data Mask Function Yes —
実装タイプ Surface Mount (BGA) —
RoHS ステータス Compliant —
データレート — DDR3-1600 (800 MHz)
CASレイテンシ — 11 (CL-tRCD-tRP)
Burst Length — 8 (fixed), 4 (burst chop)
On-Die Termination — Yes (dynamic ODT)
Self-Refresh — Yes
Data Mask — Yes
RoHS — Compliant

データシート&リソース

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