K4B4G1646E-BCMA vs K4B4G1646E-BYK0 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646E-BCMA par Samsung Electronics et K4B4G1646E-BYK0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BCMA - 4Gb DDR3 SDRAM 1066MHz FBGA-96 | Samsung
K4B4G1646E-BCMA ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646E-BCMA | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,77 | $1,80 |
| Type de mémoire | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock / Data Rate | 1066 MHz / 1066 Mbps per data pin | — |
| Tension d'alimentation | 1.425 V to 1.575 V (1.5 V nominal) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C | 0°C to +95°C (TC) |
| Boîtier | FBGA-96 (7.5 x 13.3 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Operating Supply Current (IDD) | 55 mA | — |
| Standby Current | 2 mA | — |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | Dynamic ODT supported | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Type de montage | Surface Mount (BGA) | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Débit de données | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Latence CAS | — | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| Burst Length | — | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |