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Samsung Electronics

K4B4G1646E-BCNB - 4Gb DDR3 SDRAM、256Mx16、1.35V | Samsung

部品番号: K4B4G1646E-BCNB ✓ 生産中
在庫あり 1〜3営業日以内に発送
1.35 V (1.283 V to 1.45 V) Vdss 96-ball FBGA Package DDR3 SDRAM Memory
開始価格 $13.5227 USD / 個
MOQ: 1 |
価格更新日: 2026-08-17
ボリューム価格
数量 単価 小計
1 $23.1818 $23.18
10 $16.7424 $167.42
100 $14.8106 $1,481.06
500 $14.1667 $7,083.35
1,000 $13.5227 $13,522.70
ℹ️ すべての価格はUSDです

K4B4G1646E-BCNB 概要

Samsung K4B4G1646E-BCNBは、256Mx16構成の4Gb DDR3 SDRAMで、1.35V(低電圧)で動作し、データレートは1866 Mbpsです。高い帯域幅と低消費電力を必要とするモバイルおよび組み込みアプリケーションに最適です。本デバイスは96ボールFBGAパッケージに収められ、RoHSに準拠しています。

ドロップイン代替品: K4B4G1646E-BCNB — 同一パッケージでピン互換。PCBの作り直しが必要な異なるパッケージの部品は除外されています。

このシリーズのバリエーション

同一シリーズでドロップイン互換のモデル: K4B4G1646E-BCNB (同一形状・フットプリント) — 相違点: Package, Memory Type, Operating Temperature, Supply Voltage, Burst Length.

Samsung Electronics
Package: 96-FBGA
Supply Voltage: 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V)
比較対象 K4B4G1646E-BCNB →
Samsung Electronics
Package: 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch)
Memory Type: DDR3L SDRAM
Operating Temperature: 0°C to +95°C (TC)
比較対象 K4B4G1646E-BCNB →

クイック比較ツール — 並列比較する代替部品を選択:

MT41K256M16TW-107

Micron Technology
DDR3L SDRAM · 4 Gbit · 256M x 16 · Parallel · 933 MHz (DDR3L-1866) · 20 ns · 1.35 V · 16 bit

✓ 在庫あり

$14.1 / 個

データシートを見る →

H5TQ4G63AFR-H9C

SK hynix
DDR3 SDRAM · 4 Gb · 256M x 16 · 1.5 V · 0.255 ns · 96-ball TFBGA · RECTANGULAR · 8192

✓ 在庫あり

$6.5 / 個

データシートを見る →

IS43TR16256A-15HBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
DDR3 SDRAM · 4 Gbit · 256M x 16 · 667 MHz · 1333 Mbps · 20 ns · 1.5 V · 96-TWBGA (9x13 mm)

✓ 在庫あり

$10.3409 / 個

データシートを見る →

W632GU6NB

Winbond DDR3 4Gb 256Mx16

📋 参考代替品(カタログ未掲載)

AS4C256M16D3L-12BCN

Alliance Memory
DDR3L SDRAM · 4 Gbit · 256M x 16 · 16 bit · 800 MHz · 1600 Mbps · 20 ns · 1.35 V

✓ 在庫あり

$6 / 個

データシートを見る →

K4B4G1646E-BCNB 最大定格&電気的特性

メモリタイプ DDR3 SDRAM
メモリサイズ 4 Gb
メモリ構成 256M x 16
電源電圧 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
データレート 1866 Mbps
動作温度 0C to +95C
パッケージ 96-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount
RoHS ステータス Compliant
ピン数 96
インターフェースタイプ Parallel
Refresh 8K / 64 ms
Burst Length 8, 4 (fixed)

K4B4G1646E-BCNB ピン構成

Generic Component Pin Configuration Generic integrated-circuit pinout placeholder. Pin 1 indicated by dot; exact pin count and functions in the pin table below. 1 N 2 N-1 3 N-2 4 N-3 Pin Configuration See pin table below for pin functions Package-specific diagram not available
ピン A1 VDD — Power supply (1.35V)
ピン A2 DQ0 — Data I/O 0
ピン A3 DQ1 — Data I/O 1
ピン B1 VSS — Ground
ピン B2 DQ2 — Data I/O 2
ピン B3 DQ3 — Data I/O 3
ピン C1 VDDQ — DQ power supply
ピン C2 DQS0 — Data strobe 0 (positive)
ピン C3 DQS0# — Data strobe 0 (negative)
ピン D1 VSS — Ground
ピン D2 CLK — Clock input
ピン D3 CLK# — Complementary clock input
ピン E1 CKE — Clock enable
ピン E2 CS# — Chip select
ピン E3 RAS# — Row address strobe
ピン F1 CAS# — Column address strobe
ピン F2 WE# — Write enable
ピン F3 BA0 — Bank address 0
ピン G1 BA1 — Bank address 1
ピン G2 A0 — Address input 0
ピン G3 A1 — Address input 1

主な用途

K4B4G1646E-BCNB の用途: 6 件s: Mobile Computing, Embedded Systems, Networking Equipment, Consumer Electronics, Automotive Infotainment, Industrial Automation.

📱

Mobile Computing

Used in laptops and tablets for main memory with low power consumption.

🏭

Embedded Systems

Ideal for industrial single-board computers and IoT gateways.

🌐

Networking Equipment

Used in routers, switches, and network appliances for packet buffering.

📺

Consumer Electronics

Found in smart TVs, set-top boxes, and gaming consoles.

🚗

Automotive Infotainment

Used in car infotainment systems and navigation units.

🏭

Industrial Automation

Deployed in PLCs and HMI panels for data logging and display.

What is the supply voltage range for K4B4G1646E-BCNB?
The supply voltage is 1.35V nominal, with a range of 1.283V to 1.45V for low-voltage DDR3 operation.
What is the maximum data rate of this DDR3 SDRAM?
The K4B4G1646E-BCNB supports a data rate of 1866 Mbps per pin.
What is the memory organization of K4B4G1646E-BCNB?
It is organized as 256M words x 16 bits, totaling 4 Gb.
What package does K4B4G1646E-BCNB come in?
It is housed in a 96-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array) package.
Is K4B4G1646E-BCNB RoHS compliant?
Yes, the device is RoHS compliant.
What is the operating temperature range?
The operating temperature range is 0°C to +95°C (case temperature).
Can K4B4G1646E-BCNB be used in mobile applications?
Yes, its low voltage (1.35V) and high density make it suitable for mobile and embedded applications.
What is the difference between DDR3 and DDR3L?
DDR3L operates at 1.35V, while standard DDR3 operates at 1.5V. K4B4G1646E-BCNB is a DDR3L device.
Does K4B4G1646E-BCNB support ECC?
No, this is a non-ECC memory. ECC versions are typically x72 organizations.
What is the burst length supported?
It supports burst lengths of 8 and 4 (fixed).
What is the refresh requirement?
It requires 8K refresh cycles every 64 ms.
Is K4B4G1646E-BCNB compatible with DDR3 sockets?
Yes, it is pin-compatible with standard DDR3 sockets, but voltage levels must match.
What is the typical power consumption?
[DATA_NEEDED: Typical power consumption] Please refer to the datasheet for detailed power numbers.
What is the part number suffix meaning?
The suffix 'E' indicates the generation, 'B' indicates package type (FBGA), 'CNB' indicates speed and temperature grade.
Where can I find the full datasheet?
The datasheet is available on Samsung's semiconductor website at the provided URL.
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