K4S561633F-ZL75 vs K4S561633FZN75 比較

詳細な並列比較: K4S561633F-ZL75 メーカー: Samsung Electronics および K4S561633FZN75 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K4S561633F-ZL75 K4S561633F-ZL75 - 256Mb Mobile SDRAM, 4x16Mx16, 133MHz, 54-BGA

K4S561633F-ZL75 - 256Mb Mobile SDRAM, 4x16Mx16, 133MHz, 54-BGA

K4S561633F-ZL75 Nrnd

仕様比較

パラメータ K4S561633F-ZL75 K4S561633FZN75
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 NRND NRND
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.50 $2.52
メモリタイプ Synchronous DRAM (Mobile SDRAM) Mobile SDRAM (Synchronous DRAM)
Density 256 Mbit (268,435,456 bits) 256 Mbit (268,435,456 bits)
メモリ構成 4 banks x 4,196,304 words x 16 bits (4M x 16 x 4 banks) 4 banks x 4,196,304 words x 16 bits
Operating Frequency (max) 133 MHz —
Clock Access Time 5.4 ns —
Speed Grade ZL75 (7.5 ns / CAS Latency 3, 133 MHz) —
Supply Voltage (VDD) 3.3 V —
I/O Standard LVCMOS-compatible —
Number of Banks 4 —
Burst Length 1, 2, 4, 8, Full Page 1, 2, 4, 8, full page (programmable)
Burst Type Sequential or Interleave —
CASレイテンシ Programmable, 2 or 3 Programmable, 2 or 3
パッケージ 54-ball FBGA (54-BOC) / TFBGA 54-ball FBGA (54BOC)
実装タイプ Surface Mount —
RoHS / Lead-Free Pb-Free (per -L75 suffix) —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature grade] Commercial grade (per -ZN75 suffix)
Clock Frequency — 133 MHz
データレート — PC133 (SDRAM)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 3.0 V (typ); 2.7 V-3.3 V range
インターフェース — LVCMOS
Process Technology — Samsung high-performance CMOS
Refresh — Auto-Refresh and Self-Refresh
Power Modes — Power-Down mode, Partial Array Self-Refresh (PASR)
Lead-Free / RoHS — Pb-free (lead-free) - per '-ZN' suffix
Bank Architecture — 4 internal banks
Row Address — A0-A12 (13-bit)
Data Width — x16 (DQ0-DQ15)

データシート&リソース

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