K6F1616U6A-EF55T vs K6F3216U6M-EF70T 比較

詳細な並列比較: K6F1616U6A-EF55T メーカー: Samsung Electronics および K6F3216U6M-EF70T メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K6F1616U6A-EF55T K6F1616U6A-EF55T - 16Mbit Async SRAM 55ns 48-TFBGA | Samsung

K6F1616U6A-EF55T - 16Mbit Async SRAM 55ns 48-TFBGA | Samsung

K6F1616U6A-EF55T ✓ 生産中
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K6F3216U6M-EF70T K6F3216U6M-EF70T - 32Mbit Async SRAM 2Mx16 | Samsung

K6F3216U6M-EF70T - 32Mbit Async SRAM 2Mx16 | Samsung

K6F3216U6M-EF70T ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K6F1616U6A-EF55T K6F3216U6M-EF70T
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.00 $6.10
メモリタイプ SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
メモリサイズ 16 Mbit 32 Mbit
メモリ構成 1M x 16 2M x 16
インターフェース Parallel Parallel
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage Range 2.7 V to 3.3 V —
Technology Full CMOS Static RAM Full CMOS Static RAM
パッケージ 48-TFBGA (7.5 x 9.5 mm) 55-TFBGA (7.5 x 12 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T suffix) —
Clock Frequency N/A (asynchronous, no clock required) —
Refresh Requirement None (static RAM) None (static memory)
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] NO (per third-party listing)
MSLレベル [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
電源電圧 — 3 V
Speed Grade — -EF70 (55 ns)
Standard Pack Qty — 2400
Memory Composition — Volatile SRAM

データシート&リソース

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