K6X0808C1D-GF55T00 vs K6X0808C1D-BF70T 比較

詳細な並列比較: K6X0808C1D-GF55T00 メーカー: Samsung Electro-Mechanics および K6X0808C1D-BF70T メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T00 K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung

K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung

K6X0808C1D-GF55T00 ✓ 生産中
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70T K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K6X0808C1D-GF55T00 K6X0808C1D-BF70T
ブランド Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs DRAM
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.05 $1.05
メモリタイプ SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
メモリサイズ 256 Kbit 256 Kbit
メモリ構成 32K x 8 —
Access Time 55 ns 70 ns
インターフェース Parallel —
Clock Frequency N/A (asynchronous) —
Technology CMOS —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range for GF grade] -40C to +85C (TA)
電源電圧 [DATA_NEEDED: supply voltage range] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] —
Data Retention Low data retention voltage supported —
パッケージ 28-SOP (450 mil) 28-SOP
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Packaging Variant Tape & Reel (T00 suffix) —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Memory Organization — 32K x 8
Memory Interface — Parallel
Write Cycle Time - Word, Page — 70 ns
Voltage - Supply — 4.5 V to 5.5 V
Process Technology — CMOS
Address Bus Width — 15 bit (A0-A14)
データバス幅 — 8 bit (I/O0-I/O7)
Control Signals — CE, OE, WE
I/O Compatibility — TTL compatible
Refresh Requirement — None (fully static operation)

データシート&リソース

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