K6X0808C1D-GF55T00 vs K6X0808C1D-BF70T Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K6X0808C1D-GF55T00 от Samsung Electro-Mechanics и K6X0808C1D-BF70T от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T00 K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung

K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung

K6X0808C1D-GF55T00 ✓ Активен
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70T K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K6X0808C1D-GF55T00 K6X0808C1D-BF70T
Бренд Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
Категория Memory ICs DRAM
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,05 $1,05
Тип памяти SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
Размер памяти 256 Kbit 256 Kbit
Организация памяти 32K x 8 —
Access Time 55 ns 70 ns
Интерфейс Parallel —
Clock Frequency N/A (asynchronous) —
Technology CMOS —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range for GF grade] -40C to +85C (TA)
Напряжение питания [DATA_NEEDED: supply voltage range] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] —
Data Retention Low data retention voltage supported —
Корпус 28-SOP (450 mil) 28-SOP
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Packaging Variant Tape & Reel (T00 suffix) —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Memory Organization — 32K x 8
Memory Interface — Parallel
Write Cycle Time - Word, Page — 70 ns
Voltage - Supply — 4.5 V to 5.5 V
Process Technology — CMOS
Address Bus Width — 15 bit (A0-A14)
Разрядность шины данных — 8 bit (I/O0-I/O7)
Control Signals — CE, OE, WE
I/O Compatibility — TTL compatible
Refresh Requirement — None (fully static operation)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену