K6X1008C2D-BF55 vs K6X1008C2D-TF55 比較
詳細な並列比較: K6X1008C2D-BF55 メーカー: Samsung Electro-Mechanics および K6X1008C2D-TF55 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electro-Mechanics
K6X1008C2D-BF55 - 128Kx8 Low Power CMOS SRAM | Samsung
K6X1008C2D-BF55 Obsolete
仕様比較
| パラメータ | K6X1008C2D-BF55 | K6X1008C2D-TF55 |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | Obsolete | 製造終了 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.18 | $2.35 |
| メモリタイプ | Asynchronous CMOS Static RAM (SRAM) | SRAM - Asynchronous |
| Memory Organization | 128K x 8 bit (1 Mbit) | — |
| Density | 1 Mbit | — |
| Access Time | 55 ns | — |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V (single supply) | — |
| Operating Current (ICC) | 30 mA typical | — |
| Standby Current (ICC2) | [DATA_NEEDED: standby current value] | — |
| インターフェース | Parallel, asynchronous | Parallel |
| データバス幅 | 8 bit | — |
| Address Bus Width | 17 bit | — |
| パッケージ | 32-SOP-525 (SOP-32) | 32-TSOP REVERSE |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature grade] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Data Retention Voltage | Low data retention voltage supported | — |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Lead-Free | Yes (Lead-Free variant) | — |
| RoHS ステータス | Compliant | RoHS: Yes (per distributor listing) |
| Cell Technology | 6T CMOS memory cell | — |
| メモリサイズ | — | 1 Mbit |
| メモリ構成 | — | 128K x 8 |
| Access Time (tAA) | — | 55 ns |
| Supply Voltage (Vcc) | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Operating Current | — | 35 mA |
| Technology | — | Low Power Full CMOS |
| Speed Options | — | 55 ns, 70 ns |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Memory Format | — | Volatile (SRAM) |
| Clock Frequency | — | N/A (asynchronous) |