K9F6408U0B vs K9F2808Q0B 比較

詳細な並列比較: K9F6408U0B メーカー: Samsung Electronics および K9F2808Q0B メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K9F6408U0B K9F6408U0B - 64Mbit 8M x8 NAND Flash 44-TSOP2 | Samsung

K9F6408U0B - 64Mbit 8M x8 NAND Flash 44-TSOP2 | Samsung

K9F6408U0B Obsolete
Samsung Electronics
K9F2808Q0B K9F2808Q0B - 128Mb SLC NAND Flash 1.8V 63-TBGA | Samsung

K9F2808Q0B - 128Mb SLC NAND Flash 1.8V 63-TBGA | Samsung

K9F2808Q0B ✗ 生産終了

仕様比較

パラメータ K9F6408U0B K9F2808Q0B
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 Obsolete 製造終了
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.20 $0.00
Memory Organization 8M x 8 bit (64Mbit) —
メモリタイプ NAND Flash SLC NAND Flash (parallel)
Operating Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 1.7 V to 1.95 V
Access Time / Cycle Time 50 ns —
パッケージ 44-TSOP2 63-pin TBGA
Page Size 528 bytes (512 data + 16 spare) [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: block organization from datasheet] [DATA_NEEDED: block size]
Program/Erase Endurance 100K program/erase cycles [DATA_NEEDED: endurance cycles]
インターフェース 8-bit multiplexed command/address/data I/O 8-bit multiplexed address/data
Write Protect Yes (WP pin) —
Ready/Busy Output Yes (R/B open-drain) —
Operating Temperature (TCB0 grade) 0C to 70C —
Operating Temperature (TIB0 grade) -40C to 85C —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
Production Status (per datasheet) Mass Production (legacy; now obsolete) —
Density — 128 Mbit
メモリ構成 — 16M x 8
Read Access Speed — 50 ns
Cell Type — SLC (1 bit/cell)
Temperature Grade — C (commercial), I (industrial)
Typical Read Current (Icc1) — [DATA_NEEDED: Icc1]
Production Status — Mass production (per legacy datasheet); now EOL/obsolete

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼