M25PE10-VMN3TPB vs M25PE40-VMN3TPB 比較

詳細な並列比較: M25PE10-VMN3TPB メーカー: Micron Technology および M25PE40-VMN3TPB メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M25PE10-VMN3TPB M25PE10-VMN3TPB - 1Mb SPI NOR Flash 75MHz AEC-Q100 | Micron

M25PE10-VMN3TPB - 1Mb SPI NOR Flash 75MHz AEC-Q100 | Micron

M25PE10-VMN3TPB Obsolete
Micron Technology
M25PE40-VMN3TPB M25PE40-VMN3TPB - 4Mb SPI NOR Flash 75MHz 8-SO | Micron Technology

M25PE40-VMN3TPB - 4Mb SPI NOR Flash 75MHz 8-SO | Micron Technology

M25PE40-VMN3TPB Obsolete

仕様比較

パラメータ M25PE10-VMN3TPB M25PE40-VMN3TPB
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 Obsolete Obsolete
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.75 $0.52
メモリタイプ FLASH - NOR (serial paged) Non-Volatile Flash - NOR
メモリサイズ 1 Mbit (128K x 8) 4Mb (512K x 8)
インターフェース SPI SPI
Clock Frequency 75 MHz 75 MHz
電源電圧 3V/3.3V 2.7 V to 3.6 V
Write Cycle Time - Page 3 ms —
Write Cycle Time - Word 15 ms —
パッケージ 8-SOIC (SO-8) 8-SOIC (0.154in, 3.90mm width)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
Qualification Automotive AEC-Q100 —
Part Status Obsolete Obsolete
Programming Granularity 1 to 256 bytes per Page Write / Page Program —
カテゴリ Memory chips - Flash —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Access Time [DATA_NEEDED: access time] —
Memory Format — FLASH
Write Cycle Time - Word, Page — 15 ms, 3 ms
Page Program Time — 0.8 ms (typ)
Page Write Time — 11 ms (typ)
Page Erase Time — 10 ms (typ)
Subsector Erase — 4 KB
Sector Erase — 64 KB
Bulk Erase — 4 Mb
Deep Power-Down Current — 1 uA (typ)
Electronic Signature — JEDEC 2-byte signature 8013h
Endurance — More than 100,000 program/erase cycles
Write Protection — Software (64KB sector basis) and hardware BP0/BP1/BP2

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