M25PE10-VMN3TPB vs M25PE40-VMN3TPB 비교
다음의 상세 나란히 비교: M25PE10-VMN3TPB 제조: Micron Technology 및 M25PE40-VMN3TPB 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
M25PE10-VMN3TPB - 1Mb SPI NOR Flash 75MHz AEC-Q100 | Micron
M25PE10-VMN3TPB ObsoleteMicron Technology
M25PE40-VMN3TPB - 4Mb SPI NOR Flash 75MHz 8-SO | Micron Technology
M25PE40-VMN3TPB Obsolete사양 비교
| 파라미터 | M25PE10-VMN3TPB | M25PE40-VMN3TPB |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | Obsolete | Obsolete |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.75 | $0.52 |
| 메모리 유형 | FLASH - NOR (serial paged) | Non-Volatile Flash - NOR |
| 메모리 크기 | 1 Mbit (128K x 8) | 4Mb (512K x 8) |
| 인터페이스 | SPI | SPI |
| Clock Frequency | 75 MHz | 75 MHz |
| 공급 전압 | 3V/3.3V | 2.7 V to 3.6 V |
| Write Cycle Time - Page | 3 ms | — |
| Write Cycle Time - Word | 15 ms | — |
| 패키지 | 8-SOIC (SO-8) | 8-SOIC (0.154in, 3.90mm width) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | — |
| Qualification | Automotive AEC-Q100 | — |
| Part Status | Obsolete | Obsolete |
| Programming Granularity | 1 to 256 bytes per Page Write / Page Program | — |
| 카테고리 | Memory chips - Flash | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: access time] | — |
| Memory Format | — | FLASH |
| Write Cycle Time - Word, Page | — | 15 ms, 3 ms |
| Page Program Time | — | 0.8 ms (typ) |
| Page Write Time | — | 11 ms (typ) |
| Page Erase Time | — | 10 ms (typ) |
| Subsector Erase | — | 4 KB |
| Sector Erase | — | 64 KB |
| Bulk Erase | — | 4 Mb |
| Deep Power-Down Current | — | 1 uA (typ) |
| Electronic Signature | — | JEDEC 2-byte signature 8013h |
| Endurance | — | More than 100,000 program/erase cycles |
| Write Protection | — | Software (64KB sector basis) and hardware BP0/BP1/BP2 |