M29F200FT55M3F2 vs M29F160FB55N3F2 比較

詳細な並列比較: M29F200FT55M3F2 メーカー: Micron Technology および M29F160FB55N3F2 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ 生産中
Micron Technology
M29F160FB55N3F2 M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 Obsolete

仕様比較

パラメータ M29F200FT55M3F2 M29F160FB55N3F2
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 Obsolete
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.85 $5.60
メモリタイプ Parallel NOR Flash Parallel NOR Flash
Density 2 Mbit (2097 kbits) 16777 kbits (16 Mbit)
メモリ構成 256K x 8 / 128K x 16 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Architecture Top Boot Block Bottom Boot Block
Programming Interface Embedded program/erase controller, byte or word —
動作温度 -40C to +125C -40 to +125 C
Automotive Qualification Yes —
パッケージ 44-pin SO (TSOP) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Number of Words (x16 mode) 128 K —
Bits per Word (x16 mode) 16 bits —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free)
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Number of Words — 1000 k
Bits per Word — 16 bits
電源電圧 — 5 V
インターフェース — Parallel
Package Type — 48-TSOP
Termination Finish — Lead-free (F2 suffix)
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Block Protection — Hardware boot block protection
Speed Grade (from MPN) — 55 (55 ns)

データシート&リソース

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