M29F200FT55M3F2 vs M29F160FB55N3F2 비교

다음의 상세 나란히 비교: M29F200FT55M3F2 제조: Micron Technology 및 M29F160FB55N3F2 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ 활성
Micron Technology
M29F160FB55N3F2 M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 Obsolete

사양 비교

파라미터 M29F200FT55M3F2 M29F160FB55N3F2
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 Obsolete
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.85 $5.60
메모리 유형 Parallel NOR Flash Parallel NOR Flash
Density 2 Mbit (2097 kbits) 16777 kbits (16 Mbit)
메모리 구성 256K x 8 / 128K x 16 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Architecture Top Boot Block Bottom Boot Block
Programming Interface Embedded program/erase controller, byte or word —
동작 온도 -40C to +125C -40 to +125 C
Automotive Qualification Yes —
패키지 44-pin SO (TSOP) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Number of Words (x16 mode) 128 K —
Bits per Word (x16 mode) 16 bits —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free)
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Number of Words — 1000 k
Bits per Word — 16 bits
공급 전압 — 5 V
인터페이스 — Parallel
Package Type — 48-TSOP
Termination Finish — Lead-free (F2 suffix)
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Block Protection — Hardware boot block protection
Speed Grade (from MPN) — 55 (55 ns)

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청