M29W160ET70N3E vs M29DW323DB70N3E 比較

詳細な並列比較: M29W160ET70N3E メーカー: Micron Technology および M29DW323DB70N3E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29W160ET70N3E M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E ✓ 生産中
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M29DW323DB70N3E M29DW323DB70N3E - 32Mb NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29DW323DB70N3E - 32Mb NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29DW323DB70N3E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29W160ET70N3E M29DW323DB70N3E
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $4.50 $2.55
メモリタイプ NOR Flash (Parallel) Flash - NOR
メモリサイズ 16 Mbit —
メモリ構成 2M x 8 / 1M x 16 —
Access Time 70 ns 70 ns
インターフェース Parallel Parallel
電源電圧 3 V / 3.3 V (nominal) 3 V class (per manufacturer datasheet)
Boot Block Location Top boot Bottom (DB variant)
パッケージ 48-TSOP 48-TSOP I
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Bus Width Selection BYTE# pin, x8 or x16 —
Sector Protection Hardware boot block protection —
Programming Type Automatic program and erase —
Packing Tray (RoHS-compliant package, standard packing) —
RoHS ステータス Compliant (E suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Memory Format — FLASH
Technology — FLASH - NOR Memory IC
Density — 32 Mb (4M x 8, 2M x 16)
Memory Organization — 4M x 8 / 2M x 16
Byte/Word Organization Select — Yes (BYTE pin)
Applications Domain — Embedded code storage / XIP
Standard Pack Quantity — [DATA_NEEDED: standard pack quantity]

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