M29W160ET70N3E vs M29DW323DB70N3E 비교

다음의 상세 나란히 비교: M29W160ET70N3E 제조: Micron Technology 및 M29DW323DB70N3E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M29W160ET70N3E M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E ✓ 활성
Micron Technology
M29DW323DB70N3E M29DW323DB70N3E - 32Mb NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29DW323DB70N3E - 32Mb NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29DW323DB70N3E ✓ 활성

사양 비교

파라미터 M29W160ET70N3E M29DW323DB70N3E
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $4.50 $2.55
메모리 유형 NOR Flash (Parallel) Flash - NOR
메모리 크기 16 Mbit —
메모리 구성 2M x 8 / 1M x 16 —
Access Time 70 ns 70 ns
인터페이스 Parallel Parallel
공급 전압 3 V / 3.3 V (nominal) 3 V class (per manufacturer datasheet)
Boot Block Location Top boot Bottom (DB variant)
패키지 48-TSOP 48-TSOP I
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Bus Width Selection BYTE# pin, x8 or x16 —
Sector Protection Hardware boot block protection —
Programming Type Automatic program and erase —
Packing Tray (RoHS-compliant package, standard packing) —
RoHS 상태 Compliant (E suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Memory Format — FLASH
Technology — FLASH - NOR Memory IC
Density — 32 Mb (4M x 8, 2M x 16)
Memory Organization — 4M x 8 / 2M x 16
Byte/Word Organization Select — Yes (BYTE pin)
Applications Domain — Embedded code storage / XIP
Standard Pack Quantity — [DATA_NEEDED: standard pack quantity]

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