M29W160ET70N3E vs M29DW323DB70N3E Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29W160ET70N3E от Micron Technology и M29DW323DB70N3E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron
M29W160ET70N3E ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | M29W160ET70N3E | M29DW323DB70N3E |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $4,50 | $2,55 |
| Тип памяти | NOR Flash (Parallel) | Flash - NOR |
| Размер памяти | 16 Mbit | — |
| Организация памяти | 2M x 8 / 1M x 16 | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Интерфейс | Parallel | Parallel |
| Напряжение питания | 3 V / 3.3 V (nominal) | 3 V class (per manufacturer datasheet) |
| Boot Block Location | Top boot | Bottom (DB variant) |
| Корпус | 48-TSOP | 48-TSOP I |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 qualified | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Bus Width Selection | BYTE# pin, x8 or x16 | — |
| Sector Protection | Hardware boot block protection | — |
| Programming Type | Automatic program and erase | — |
| Packing | Tray (RoHS-compliant package, standard packing) | — |
| Статус RoHS | Compliant (E suffix) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Memory Format | — | FLASH |
| Technology | — | FLASH - NOR Memory IC |
| Density | — | 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) |
| Memory Organization | — | 4M x 8 / 2M x 16 |
| Byte/Word Organization Select | — | Yes (BYTE pin) |
| Applications Domain | — | Embedded code storage / XIP |
| Standard Pack Quantity | — | [DATA_NEEDED: standard pack quantity] |