M29W400FB55N3F vs M29W400FB55N3E 比較

詳細な並列比較: M29W400FB55N3F メーカー: Micron Technology および M29W400FB55N3E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29W400FB55N3F M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F ✓ 生産中
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M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29W400FB55N3F M29W400FB55N3E
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs EEPROM
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.55 $0.00
メモリタイプ NOR Flash NOR Flash (parallel)
メモリサイズ 4 Mbit —
メモリ構成 512K x8 / 256K x16 512K x 8 bit / 256K x 16 bit
インターフェース Parallel (asynchronous) Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable)
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Program/Erase Supply Single 2.7 V to 3.6 V —
Byte/Word Select BYTE# pin —
Block Architecture Boot block with hardware sector protection 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB)
Program Suspend/Erase Suspend Supported —
パッケージ 48-pin TSOP I (12 x 20 mm) 48-TSOP I, 12 x 20 mm
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) Tray
Lead-Free / RoHS Yes (F suffix = lead-free RoHS-compliant) —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles per block] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] —
Density — 4 Mbit (4194 kbits)
Programming Time — 10 us per byte/word typical
Boot Block Hardware Protection — Yes
Pins — 48
RoHS ステータス — Compliant
Speed Grades in Family — 55 ns, 70 ns

データシート&リソース

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