M29W400FB55N3F vs M29W800FB70ZA3SF 比較

詳細な並列比較: M29W400FB55N3F メーカー: Micron Technology および M29W800FB70ZA3SF メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29W400FB55N3F M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F ✓ 生産中
Micron Technology
M29W800FB70ZA3SF M29W800FB70ZA3SF - 8Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70ZA3SF - 8Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70ZA3SF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29W400FB55N3F M29W800FB70ZA3SF
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.55 $2.45
メモリタイプ NOR Flash —
メモリサイズ 4 Mbit —
メモリ構成 512K x8 / 256K x16 —
インターフェース Parallel (asynchronous) —
Access Time 55 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Program/Erase Supply Single 2.7 V to 3.6 V —
Byte/Word Select BYTE# pin —
Block Architecture Boot block with hardware sector protection —
Program Suspend/Erase Suspend Supported —
パッケージ 48-pin TSOP I (12 x 20 mm) 48-TFBGA (6x8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
Lead-Free / RoHS Yes (F suffix = lead-free RoHS-compliant) —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles per block] [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] [DATA_NEEDED: data retention]
Density — 8 Mb (1 MB)
Memory Organization — 1M x 8 / 512K x 16
インターフェースタイプ — Parallel
Boot Block Location — Bottom boot (FB)
Ball Pitch — [DATA_NEEDED: ball pitch]
Byte/Word Organization Pin — Yes (BYTE pin selects x8/x16)
Programming Time — [DATA_NEEDED: programming time]
XIP Support — Yes (parallel random-access, execute-in-place capable)
RoHS ステータス — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Reel Option — Available (M29W800FB70ZA3SF TR)

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