M29W400FB55N3F vs M29W800FB70ZA3SF 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29W400FB55N3F 제조: Micron Technology 및 M29W800FB70ZA3SF 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29W400FB55N3F | M29W800FB70ZA3SF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.55 | $2.45 |
| 메모리 유형 | NOR Flash | — |
| 메모리 크기 | 4 Mbit | — |
| 메모리 구성 | 512K x8 / 256K x16 | — |
| 인터페이스 | Parallel (asynchronous) | — |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| Program/Erase Supply | Single 2.7 V to 3.6 V | — |
| Byte/Word Select | BYTE# pin | — |
| Block Architecture | Boot block with hardware sector protection | — |
| Program Suspend/Erase Suspend | Supported | — |
| 패키지 | 48-pin TSOP I (12 x 20 mm) | 48-TFBGA (6x8) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (F suffix = lead-free RoHS-compliant) | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles per block] | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: retention years] | [DATA_NEEDED: data retention] |
| Density | — | 8 Mb (1 MB) |
| Memory Organization | — | 1M x 8 / 512K x 16 |
| 인터페이스 유형 | — | Parallel |
| Boot Block Location | — | Bottom boot (FB) |
| Ball Pitch | — | [DATA_NEEDED: ball pitch] |
| Byte/Word Organization Pin | — | Yes (BYTE pin selects x8/x16) |
| Programming Time | — | [DATA_NEEDED: programming time] |
| XIP Support | — | Yes (parallel random-access, execute-in-place capable) |
| RoHS 상태 | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Reel Option | — | Available (M29W800FB70ZA3SF TR) |