MT40A1G16TD-062E vs H5ANAG6NCJR-XNC 比較

詳細な並列比較: MT40A1G16TD-062E メーカー: Micron Technology および H5ANAG6NCJR-XNC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A1G16TD-062E MT40A1G16TD-062E - 16Gb DDR4-3200 x16 SDRAM FBGA | Micron

MT40A1G16TD-062E - 16Gb DDR4-3200 x16 SDRAM FBGA | Micron

MT40A1G16TD-062E ✓ 生産中
SK hynix
H5ANAG6NCJR-XNC H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A1G16TD-062E H5ANAG6NCJR-XNC
ブランド Micron Technology SK hynix
カテゴリ DRAM Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $18.41 $84.97
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 16 Gbit 16 Gbit
メモリ構成 1G x 16 —
Clock Frequency 1.6 GHz —
Access Time 19 ns —
インターフェース POD12 (1.2V pseudo open-drain) Parallel
VDD Supply Voltage 1.2 V +/- 60 mV —
VDDQ Supply Voltage 1.2 V +/- 60 mV —
VPP Supply Voltage 2.5 V, -125 mV, +250 mV —
Bank Architecture 8 banks (x16 configuration) —
VREFDQ On-die, internal, adjustable generation —
Refresh 8192-cycle, 64 ms up to 85C; 32 ms from 85C to 95C —
動作温度 TC maximum up to 95 C —
パッケージ 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm) FBGA-96
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Speed Grade -062E —
Product Line Suffix AAT:F (automotive AEC grade available per Micron catalog) —
Memory Organization — 1G x 16
データレート — 3200 Mbps/pin
Supply Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ)
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Packaging — Tray
RoHS ステータス — Compliant

データシート&リソース

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