MT40A1G16TD-062E vs H5ANAG6NCJR-XNC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MT40A1G16TD-062E от Micron Technology и H5ANAG6NCJR-XNC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
MT40A1G16TD-062E MT40A1G16TD-062E - 16Gb DDR4-3200 x16 SDRAM FBGA | Micron

MT40A1G16TD-062E - 16Gb DDR4-3200 x16 SDRAM FBGA | Micron

MT40A1G16TD-062E ✓ Активен
SK hynix
H5ANAG6NCJR-XNC H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MT40A1G16TD-062E H5ANAG6NCJR-XNC
Бренд Micron Technology SK hynix
Категория DRAM Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $18,41 $84,97
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Размер памяти 16 Gbit 16 Gbit
Организация памяти 1G x 16 —
Clock Frequency 1.6 GHz —
Access Time 19 ns —
Интерфейс POD12 (1.2V pseudo open-drain) Parallel
VDD Supply Voltage 1.2 V +/- 60 mV —
VDDQ Supply Voltage 1.2 V +/- 60 mV —
VPP Supply Voltage 2.5 V, -125 mV, +250 mV —
Bank Architecture 8 banks (x16 configuration) —
VREFDQ On-die, internal, adjustable generation —
Refresh 8192-cycle, 64 ms up to 85C; 32 ms from 85C to 95C —
Рабочая температура TC maximum up to 95 C —
Корпус 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm) FBGA-96
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Speed Grade -062E —
Product Line Suffix AAT:F (automotive AEC grade available per Micron catalog) —
Memory Organization — 1G x 16
Скорость передачи данных — 3200 Mbps/pin
Supply Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ)
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Packaging — Tray
Статус RoHS — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену