MT40A2G8AG-062E vs H5ANAG8NBJR-PBC 比較

詳細な並列比較: MT40A2G8AG-062E メーカー: Micron Technology および H5ANAG8NBJR-PBC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A2G8AG-062E MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E ✓ 生産中
SK hynix
H5ANAG8NBJR-PBC H5ANAG8NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM x8, FBGA-78 | SK Hynix

H5ANAG8NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM x8, FBGA-78 | SK Hynix

H5ANAG8NBJR-PBC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A2G8AG-062E H5ANAG8NBJR-PBC
ブランド Micron Technology SK hynix
カテゴリ Memory ICs DRAM
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $9.75 $31.50
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gbit (2 GB)
メモリ構成 2G x 8 x8
Speed DDR4-3200 (3200 MT/s) —
Clock Frequency 1600 MHz —
Access Time (Clock Cycle Time) 0.625 ns (tCK) —
CASレイテンシ CL22 (DDR4-3200) —
Access Time 19 ns —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
I/O Interface POD12 (1.2 V pseudo-open drain) —
VPP Voltage 2.5 V —
Number of Banks 16 (4 bank groups x 4 banks) —
Operating Temperature (AUT grade) -40C to +95C (per Micron grade table) —
パッケージ 78-FBGA (7.5 x 11 mm) FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet)
Die Revision AG (current generation) BJR
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Speed Grade / Data Rate — PBC suffix, DDR4-2666 class
Bank Architecture — 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard)
Prefetch — 8n
インターフェースタイプ — Parallel, SSTL12
動作温度 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS Latency (typical bin) — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh — Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes
MSLレベル — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Standard Package Quantity — [DATA_NEEDED: standard quantity]

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼