MT40A2G8AG-062E vs H5ANAG8NBJR-PBC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MT40A2G8AG-062E por Micron Technology e H5ANAG8NBJR-PBC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT40A2G8AG-062E MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MT40A2G8AG-062E H5ANAG8NBJR-PBC
Marca Micron Technology SK hynix
Categoria Memory ICs DRAM
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $9,75 $31,50
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gbit (2 GB)
Organização da memória 2G x 8 x8
Speed DDR4-3200 (3200 MT/s) —
Clock Frequency 1600 MHz —
Access Time (Clock Cycle Time) 0.625 ns (tCK) —
Latência CAS CL22 (DDR4-3200) —
Access Time 19 ns —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
I/O Interface POD12 (1.2 V pseudo-open drain) —
VPP Voltage 2.5 V —
Number of Banks 16 (4 bank groups x 4 banks) —
Operating Temperature (AUT grade) -40C to +95C (per Micron grade table) —
Encapsulamento 78-FBGA (7.5 x 11 mm) FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet)
Die Revision AG (current generation) BJR
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Speed Grade / Data Rate — PBC suffix, DDR4-2666 class
Bank Architecture — 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard)
Prefetch — 8n
Tipo de interface — Parallel, SSTL12
Temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS Latency (typical bin) — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh — Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes
Nível MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Standard Package Quantity — [DATA_NEEDED: standard quantity]

Fichas técnicas e recursos

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