MT40A512M16AD-062E vs NT5AD512M16C4-JRU 比較

詳細な並列比較: MT40A512M16AD-062E メーカー: Micron Technology および NT5AD512M16C4-JRU メーカー: Nanya Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A512M16AD-062E MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron

MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron

MT40A512M16AD-062E ✓ 生産中
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A512M16AD-062E NT5AD512M16C4-JRU
ブランド Micron Technology Nanya Technology
カテゴリ Memory ICs DRAM
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $9.20 $83.00
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gbit —
メモリ構成 512M x 16 512M x 16
Clock Frequency 1.6 GHz 1600 MHz (3200 Mbps data rate)
Access Time (Row Cycle) 19 ns —
インターフェース Parallel (POD) CMOS, DDR4
パッケージ 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm) 96-ball FBGA (PBGA96)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AUT:E (automotive variant) —
Speed Grade -062E —
電源電圧 [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)] —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 C to +95 C (industrial grade)
Prefetch Architecture 8n with bank groups —
HS Code (USHTS) 8542320071 —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] Green Product (per Nanya product page)
Standard Pack Quantity [DATA_NEEDED: reel quantity] —
Density — 8 Gbit
CAS Latency (CL) — 22 at 1600 MHz
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes

データシート&リソース

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