MT40A512M16AD-062E vs NT5AD512M16C4-JRU 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT40A512M16AD-062E 제조: Micron Technology 및 NT5AD512M16C4-JRU 제조: Nanya Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron
MT40A512M16AD-062E ✓ 활성Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya
NT5AD512M16C4-JRU ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | MT40A512M16AD-062E | NT5AD512M16C4-JRU |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Nanya Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $9.20 | $83.00 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1600 MHz (3200 Mbps data rate) |
| Access Time (Row Cycle) | 19 ns | — |
| 인터페이스 | Parallel (POD) | CMOS, DDR4 |
| 패키지 | 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm) | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AUT:E (automotive variant) | — |
| Speed Grade | -062E | — |
| 공급 전압 | [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)] | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40 C to +95 C (industrial grade) |
| Prefetch Architecture | 8n with bank groups | — |
| HS Code (USHTS) | 8542320071 | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Green Product (per Nanya product page) |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: reel quantity] | — |
| Density | — | 8 Gbit |
| CAS Latency (CL) | — | 22 at 1600 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |