MT41K256M16HA-125:E vs H5AN8G6NCJR-XXC 比較

詳細な並列比較: MT41K256M16HA-125:E メーカー: Micron Technology および H5AN8G6NCJR-xxC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G6NCJR-xxC H5AN8G6NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-xxC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT41K256M16HA-125:E H5AN8G6NCJR-xxC
ブランド Micron Technology SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.10 $6.50
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 8 Gb
メモリ構成 256M x 16 512M x 16
Clock Frequency 800 MHz —
CASレイテンシ 13.75 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (DDR3L) 1.2 V
Supply Voltage (VDDQ) 1.35 V —
パッケージ 96-FBGA (9x14 mm) 96-ball FBGA
ピン数 96 —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 0°C to +95°C (TC) —
RoHS ステータス Compliant —
Lead-Free Yes Yes
データバス幅 16 bits —
Logic Family CMOS —
データレート — 2666 Mbps (VKC speed grade)
VPP Supply — 2.5 V
Operating Temperature (TC) — 0°C to 95°C
Number of Banks — 8
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
On-Die Termination (ODT) — Supported
Self-Refresh — Temperature-compensated (TCSR)
RoHS — Compliant

データシート&リソース

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